7月15日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”的专利。申请公布号为CN122396222A，申请号为CN202610859340.2，申请公布日期为2026年7月14日，申请日期为2026年6月15日，发明人张会成、高志杰配资知识，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师宋宸，分类号H10P30/22、H10P30/20、H10P76/20。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，涉及半导体制备技术领域。所述方法包括：在晶圆上形成第一光刻胶层；通过掩膜版对第一光刻胶层进行第一曝光和第一显影，得到第一光刻图形层；基于第一光刻图形层进行第一离子注入，并在注入完成后去除第一光刻图形层；在晶圆上形成第二光刻胶层；通过掩膜版对第二光刻胶层进行第二曝光和第二显影，得到第二光刻图形层；基于第二光刻图形层进行第二离子注入，并在注入完成后去除第二光刻图形层。本申请可以利用同一个掩膜版来实现对不同关键尺寸的区域的离子注入，从而降低掩膜版的使用数量和使用成本。
作为国内领先的12英寸晶圆代工企业，晶合集成深耕特色工艺赛道，具备差异化技术布局优势。公司成立于2015年5月19日，于2023年5月5日登陆上海证券交易所，注册地与办公地均位于安徽省合肥市。
晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工业务，聚焦研发应用行业先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，覆盖MCU概念、集成电路、半导体产业等热门概念板块。
配资佬专业配资2025年，晶合集成实现营业收入108.85亿元，在行业7家可比企业中排名第4，该数值与行业中位数持平，低于行业平均水平166.12亿元，同期行业营收第一、第二名分别为中芯国际673.23亿元、华虹宏力172.91亿元；营收结构中，集成电路晶圆制造代工贡献103.57亿元，占比95.14%，其余业务占比分别为4.57%、0.29%。同年公司实现净利润4.66亿元，同样位列行业7家可比企业第4位，与行业中位数持平，低于行业平均净利润9.67亿元，行业净利润榜首为中芯国际72.09亿元，第二名则为赛微电子13.88亿元。
指标类型
具体数值
行业排位/对比情况
2025年营业收入
108.85亿元
行业第4（共7家），与行业中位数持平，低于行业均值166.12亿元
2025年净利润
4.66亿元
行业第4（共7家），与行业中位数持平，低于行业均值9.67亿元
核心业务营收占比
95.14%
集成电路晶圆制造代工为核心收入来源
合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：
元股证券:ygzq.hk序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛2一种半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成3半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰4文本识别方法、系统及存储介质发明专利公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞5一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康6晶圆的量测方法及系统发明专利公布CN202610813374.82026-06-08CN122349353A2026-07-07蒋智7一种半导体结构的制造方法发明专利公布CN202610795445.62026-06-04CN122318838A2026-06-30马亚强、季小龙、张正、沐凡、韩壮壮8半导体制程异常处理方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202610795944.52026-06-04CN122333300A2026-07-03王佑祥9用于光阻沉积厚度的监控晶圆、监控方法和存储介质发明专利公布CN202610796173.12026-06-04CN122396285A2026-07-14陈弋轩10缺陷分类模型的建立方法以及缺陷分类方法发明专利公布CN202610789298.12026-06-03CN122336446A2026-07-03李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕11一种SRAM最小工作电压的量测方法发明专利公布CN202610788371.32026-06-03CN122337290A2026-07-03沈洁、田志锋、刘波12半导体结构及其制备方法、半导体器件发明专利公布CN202610778881.22026-06-02CN122340888A2026-07-03张盖、南子昱、王雪13干法刻蚀系统、干法刻蚀方法以及半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610757823.12026-05-29CN122314744A2026-06-30李文超、刘然、罗成、杨智强14MOM电容结构的SPICE模型的建立方法发明专利公布CN202610759023.32026-05-29CN122311103A2026-06-30胡杰、张良宵、王晓辉、沈浩然15半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610761688.82026-05-29CN122318267A2026-06-30张德培、周宁宁、王梦慧16晶圆清洗方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610747037.32026-05-28CN122270072A2026-06-23刘苏涛、曹平17半导体工厂作业场景的安全预警方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610740384.32026-05-27CN122265950A2026-06-23毛周亮、徐旻芮、夏慧、颜传奇、黄世豪18栅极介质层的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610741566.22026-05-27CN122269774A2026-06-23周亚龙、朱海龙、晏荣伟、李嘉伦、罗承先19一种半导体结构的制备方法发明专利公布CN202610729686.02026-05-26CN122341196A2026-07-03李文超、杨智强、林子荏、张旭20半导体器件的外延层结构形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610719734.82026-05-25CN122248783A2026-06-19谢斌根、董宗谕21安全工作区量测方法、电子设备和可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610705221.12026-05-21CN122238814A2026-06-19刘家昌、陈帅、程文祥、汪小小22图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610702601.X2026-05-21CN122248817A2026-06-19张鹏鹏、贾涛23接触孔缺陷检测方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕24半导体缺陷智能分析方法及装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610693288.82026-05-20CN122244026A2026-06-19杜悦珲、张利强、李璐、鄢志忠、李佛富、林今焕25半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610695713.72026-05-20CN122318270A2026-06-30魏巍、任大雅、李猛猛、唐鹏飞26一种半导体设备的参数化单元的选项的自动生成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩27集成功率器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610685210.12026-05-19CN122248782A2026-06-19周宁宁、王梦慧、陈信全28一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平29检索模型的训练方法、检索方法和电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬30LDMOS器件的阈值电压的APC方法、系统、介质及产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧31一种反应腔室的漏率监测方法、装置及半导体工艺设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳32一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏33半导体版图结构及双栅氧化层制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强34一种半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏35芯片布局模型的训练方法、芯片布局方法及相关装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、齐天翔、萧礼明、蒋治纬36半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春37一种半导体器件的测试方法及测试装置发明专利实质审查的生效、公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲38光阻层的形成方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明39半导体结构、栅极结构的制备方法及降低缺陷的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚40半导体结构及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露41用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟42OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙43一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜44深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉45一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利实质审查的生效、公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾46降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统发明专利授权CN202610551158.02026-04-24CN122094205B2026-07-07吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽47半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛48半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤49静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁50一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞配资知识
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